ST示意，SiC和GaN居品组合已为下一代高压就业器基础设施作念好准备。

欧洲半导体制造商意法半导体（ST）示意，跟着公共东说念主工智能基础设施的电力需求激增，该公司正在准备与英伟达下一代800VDC电源架构相兼容的居品，用于东说念主工智能数据中心。

ST公司亚太区（除中国际）销售和市集营销践诺副总裁野口博在5月15日于首尔COEX举行的新闻发布会上示意，当市集罗致800VDC基础设施时，该公司已作念好准备作念出反馈。

野口示意：“当市集需要800VDC有关居品时，咱们有才智实时作念出反馈。咱们也曾掌持了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）以及数字电源筹办和制造本事，这些齐是800VDC系统的要道构成部分。”

凭据国际动力署（IEA）的数据，到2030年，公共数据中心的电力需求展望将比2024年增长一倍以上，达到945太瓦时（TWh）。这将逾越韩国约600太瓦时的年用电量。在好意思国，当作公共主要科技公司聚会地，展望到2030年，数据中心的电力需求将占到好意思国总用电量的一半。

跟着数据中心电力需求的增长，高效的电源料理本事正在成为要道惩处决议，其中800 VDC被以为是最初的治安之一。

传统数据中心通过多级出动供电。干与数据中心的高压调换电起原在变电站降压，然后由就业器机架内的电源单位出动为54V直流电。之后，电压再次降至12V，最终到达电压出动模块，为GPU提供低于1V的电压。每级电压出动齐会形成能量损耗和热量产生，从而镌汰举座效果。

上图是2025年和2027年数据中心供电架构对比。在当今的系统中，输入的调换电需要经过多个出动阶段，由多样设立完成出动。英伟达提议的明天架构将调换电径直出动为800V直流电，并以更少的出动门径将其运送到就业器机架，从而降拙劣量损耗。

英伟达的800VDC架构旨在将高压直流电径直运送到就业器机架，从而减少GPU赢得电力前所需的出动级数。这种决议镌汰了出动损耗，减少了发烧量，并减轻了电线和机架式电源的尺寸。

SiC和GaN半导体在这种结构中起着中枢作用，尤其是在将电压从800V镌汰到6V傍边的DC-DC出动器中。

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是由多种元素构成的化合物半导体。与传统的硅比拟，它们在高压高温要求下具有更高的安谧性，况兼不错简化功率出动进程。诚然硅由于资本上风在就业器限度仍占据主导地位，6686体育(6686Sports)但跟着价钱下跌，碳化硅和氮化镓有望得到更粗莽的哄骗。

野口示意，意法半导体（ST）已诱惑出碳化硅（SiC）本事，粗略将调换电源电压镌汰至50V，同期营救1200V以上的电压。他还补充说，该公司用于电源出动中高频开关的氮化镓（GaN）本事，在原型阶段即可在800V和1MHz的电压下运行，同期达成98%的效果和每立方英寸2600W的功率密度。

除了现存的800V至50V惩处决议外，ST最近还新增了800V至12V和800V至6V居品系列。

碳化硅（SiC）频繁在1200V以上的电压环境下效果更高，而氮化镓（GaN）在较低电压下效果更高。在典型的系统架构中，SiC起原将电压从800V镌汰，然后GaN将其进一步镌汰到个位数电压领域。GaN还营救更小的模块筹办。举例，它不错将48V的输入电压径直降至1V，与硅基惩处决议比拟，省去了一个出动级，从而减小了元件尺寸。

“基于氮化镓的惩处决议有助于减轻器件尺寸，并有助于诱惑更高效的器件，”野口说。

意法半导体（ST）还示意，其领有效于限制电源出动系统的数字电源筹办和制造才智。野口示意，公司不错提供封装级别的定制筹办，包括模拟和夹杂信号电源本事。“咱们径直在GPU隔邻达成了6V总线，以减少出动级数并最大遗弃地镌汰功率损耗，”他补充说念。

英伟达展望，跟着其自主研发的Kyber机架式系统的出货量在2027年运行升迁，800VDC架构的哄骗将会愈加粗莽。Kyber系统可连络576个Rubin Ultra GPU，并在单个机架内集成18个计较刀片。

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